УДК 623.574
Левинзон Д.И., Никонов А.Ю., Небеснюк О.Ю.
МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ ПРИБОРНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ОБРАБОТОК
Запорожская государственная инженерная академия,
Запорожье, проспект Ленина 226
UDK 623.574
Levinzon D. I. Nikonov A.Yu. Nebesnyuk O. Yu.
MODELLING OF DISTRIBUTION OF IMPURITY WHEN RECEIVING THE HEAVILY DOPED LAYERS OF SILICON WITH USE HIGH-ENERGY PROCESSINGS
Zaporozhye State Engineering Academy, Zaporozhye, Lenin Avenue 226
В работе обоснована и исследована компьютерная модель процессов захвата примеси фосфора в результате высокоэнергетической имплантации кремния на границе раздела полупроводник – легирующий компонент.
Ключевые слова: легирование, компьютерная модель, термическая обработка.
In work the computer model of processes of capture of impurity of phosphorus as a result high-energy implantation of silicon on limit of the section the semiconductor – an doping component is proved and investigated.
Keywords: doping, computer model, heat treatment.