Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 
УДК 0
Радченко Ирина Николаевна,Кутовой Игорь Станиславович,,,,,
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПОДГОТОВКИ СЫРЬЯ ДЛЯ РОСТА МУЛЬТИКРЕМНИЯ
Radchenko I.N., Kutovoy I.S.
TECHNOLOGICAL ASPECTS OF RAW MATERIALS PREPARATION FOR MULTISILICON GROWTH

Аннотация. В статье представлены результаты применения различных схем подготовки исходного сырья и возвратных отходов производства для роста слитков мультикристаллического кремния. Описаны основные подготовительные технологические операции для различных видов сырья

Ключевые слова: мультикристаллический кремний, удельное электрическое сопротивление, поликристаллический кремний, обработка отходов производства, метод Чохральского

Abstract. The article presents testing results of various feedstock and waste products preparation schemes for multicrystalline silicon ingots growth. The basic process steps of various types of raw and waste materials preparation, electrical characteristics of mat

Keywords: multicrystalline silicon, specific resistivity, polycrystalline silicon, rejects treatment, CZ-growth method.

ЧИТАТЬ ВЕСЬ ТЕКСТ >>>

 
Секции-март 2017