УДК 621.315.592; 538.971; 620.19
Лис Роман Мирославович,,,,,,
ВПЛИВ Х-ОПРОМІНЕННЯ ТА ШВИДКОСТІ МЕХАНІЧНОГО ДЕФОРМУВАННЯ ЗРАЗКІВ КРЕМНІЮ НА ХАРАКТЕР ЗМІНИ ЇХ ЕЛЕКТРОПРОВІДНОСТІ
Pavlyk B.V., Lys R.M., Didyk R.I., Shykorjak J.A.
IMPACT OF X-IRRADIATION AND SPEED OF MECHANICAL DEFORMATION OF SILICON SAMPLE ON THE NATURE OF ELECTRIC CHANGE
Аннотация. В роботі досліджувались зміни електропровідності опромінених при кімнатній температурі монокристалічних зразків p-Si в процесі їх стиску та знятті механічного навантаження. Встановлено, що швидкість деформування істотно впливає на характер зміни опору екс
Ключевые слова: кремній, одновісна деформація, рентгенівське опромінення
Abstract. Changes in conductivity of irradiated and exposed to room temperature single-crystal p-Si samples in the process of compressing and removing mechanical stress were investigated. It has been established that the deformation rate significantly affects the n
Keywords: silicon, uniaxial deformation, X-ray irradiation.