Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 
УДК 621.382. 2/3
Дмитриев Вадим Сергеевич,Швец Евгений Яковлевич,Дмитриева Любовь Борисовна,,,,
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В СТРУКТУРАХ ИНЖЕКТИРУЮЩИХ КОНТАКТОВ Ag-n-GaAs
Dmitriev V.S., Shvets E. Ya. Dmitrieva L.B.
THE TRANSITION PROCESSES INVESTIGATION IN THE STRUCTURE OF THE Ag/n-GaAs INJECTING CONTACTS

Аннотация. В работе исследована взаимосвязь электрофизических параметров со структурой инжектирующих контактов Ag/n-GaAs (111). Установлено влияние на переходные процессы в структурах инжектирующих контактов Ag/n-GaAs технологических особенностей изготовления.

Ключевые слова: инжектирующий контакт, барьер Шоттки, высота барьера, микроструктура, переходной слой.

Abstract. The injecting contacts Ag/n-GaAs structures (111) has been studied. The technological manufacture features influence on the transient response into the injecting contacts Ag/n-GaAs structures has been established.

Keywords: the injecting contact, the Schottky barrier, the barrier height, microstructure, the transition layer.

ЧИТАТЬ ВЕСЬ ТЕКСТ >>>

 
Секции апрель 2015