УДК 621.382. 2/3
Дмитриев Вадим Сергеевич,Швец Евгений Яковлевич,,,,,
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ МЕЖДУ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ И СТРУКТУРОЙ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
Dmitriev V.S., Shvets E. Ya.
THE INTERRELATION RESEARCH OF THE OHMIC CONTACTS STRUCTURE AND ELECTROPHYSICAL PARAMETERS
Аннотация. В работе исследована взаимосвязь электрофизических параметров со структурой неинжектирующих контактов Ag-Ge-In/n-GaAs (111). Подтверждена зависимость между параметрами неинжектирующих контактов, структурой и особенностями изготовления.
Ключевые слова: неинжектирующий контакт, удельное переходное сопротивление, микроструктура, переходной слой.
Abstract. The interrelation of the noninjecting contacts structure Ag-Ge-In/n-GaAs (111) electrophysical parameters are studied. The interrelation between the noninjecting contacts structure parameters and manufacturing was confirmed.
Keywords: noninjecting contact, specific contact resistance, microstructure, the transition layer.