Рейтинг пользователей: / 1
ХудшийЛучший 
УДК
Панченко Оксана Викторовна,Строителева Нина Ивановна,Червоный Иван Федорович,,,,
ОБРАЗОВАНИЕ БОРСОДЕРЖАЩИХ КОМПЛЕКСОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ
Panchenko Oksana Victorivna, Stroiteleva Nina Ivanovna, Chervonyi Ivan Fedorovich
THE FORMATION OF BORON-CONTAINING COMPLEXES IN SILICON SINGLE CRYSTALS

Аннотация. Качество создаваемых микроэлектронных устройств в значительной степени зависит от совершенства исходных монокристаллов. Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния по методу Чохральского с минимальным содержанием макро- и микродефектов структуры

Ключевые слова: Кремний, монокристалл, микроэлектронные устройства, макродефекты, микродефекты, энтропия, примесь, легирование, атом

Abstract. The quality of the created microelectronic devices largely depends on the perfection of the initial single crystals. The growth of dislocation-free silicon single crystals according to the Czochralski method with a minimum content of macro- and microdefec

Keywords: Silicon, single crystal, microelectronic devices, macrodefects, microdefects, entropy, impurity, alloying, atom

ЧИТАТЬ ВЕСЬ ТЕКСТ >>>