Аннотация. Качество создаваемых микроэлектронных устройств в значительной степени зависит от совершенства исходных монокристаллов. Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния по методу Чохральского с минимальным содержанием макро- и микродефектов структуры
Ключевые слова: Кремний, монокристалл, микроэлектронные устройства, макродефекты, микродефекты, энтропия, примесь, легирование, атом
Abstract. The quality of the created microelectronic devices largely depends on the perfection of the initial single crystals. The growth of dislocation-free silicon single crystals according to the Czochralski method with a minimum content of macro- and microdefec
Keywords: Silicon, single crystal, microelectronic devices, macrodefects, microdefects, entropy, impurity, alloying, atom