УДК 537.311.33:669.782
1Червоный И. Ф., 2Реков Ю. В., 1Головко О. П., 1Егоров С. Г., 1Головко Ю. В., 1Воляр Р. Н.
ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
1Запорожская государственная инженерная академия,
2Запорожский завод полупроводников
Изложены основы технологии поликристаллического кремния, рассмотрены свойства технологических материалов. Описаны процессы получения технического кремния и его гидрохлорирования. Выполнен термодинамический анализ реакций, протекающих в процессе гидрохлорирования технического кремния. Показано, что использование замкнутого цикла в производстве поликристаллического кремния обеспечивают повышения эффективности выбранных технологических решений.
Для полупроводниковой промышленности, как полупроводниковой электроники, так и солнечной электроэнергетики, кремний является основным материалом. Кремний полупроводникового качества производят по технологии, предусматривающей переработку кварцитов с получением технического (металлургического) кремния, его хлорирование, очистку хлоридов кремния, водородное восстановление хлоридов с получением поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты, последующее выращивание монокристаллов, резку их на пластины и изготовление приборов различного назначения (рис. 1).