УДК 621.315.592
Иванчиков Станислав Олегович,Никонова Зоя Андреевна,Небеснюк Оксана Юрьевна,Никонова Алина Александровна,,,
ВЛИЯНИЕ ВОССТАНОВИТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА НА ПОВЕДЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ИМПЛАНТИРУЕМЫХ В КРЕМНИЙ
Ivanchikov S.О., Nikonova Z.А., Nyebesnyuk О.Y., Nikonova А.О.
INFLUENCE OF ON REHABILITATION LASER ANNEALING BEHAVIOR OF IMPURITIES IMPLANTED IN SILICON
Аннотация. В работе исследовано влияние импульсного термического отжига на поведение и электрическую активность имплантированных в кремний примесей B,P и As. Свойства высоколегированных кремниевых слоев, полученных методом ионной имплантации с последующим термоотжиг
Ключевые слова: лазерный отжиг, термический отжиг, кремний, примеси, температура, легирование, атом.
Abstract. The effect of pulsed thermal annealing behavior and electrical activity in the implanted silicon impurities B, P and As. The properties of high-silicon layers produced by ion implantation followed by thermal annealing, depend strongly on the degree of rec
Keywords: laser annealing, thermal annealing, silicon, impurities, temperature, alloying, atom.